计算服务 / DFT

DFT

能带、DOS 与 PDOS 电子结构

分析材料带隙、费米能级附近态贡献、轨道杂化以及掺杂/缺陷/界面造成的电子结构变化。

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项目说明

在可靠的结构优化和自洽计算基础上，获得能带结构、总态密度和分波态密度，并围绕研究问题解释关键轨道和能级变化。

适用场景

半导体与二维材料异质结缺陷与掺杂磁性材料催化活性位点

交付内容

Band DOS/PDOS 轨道贡献分析带隙与费米能级信息可继续编辑的绘图数据

方法 / 软件

PBE/PBE+U、HSE06、SOC 等按体系与精度需求选择。\nVASP / QE / CASTEP* 等